用于生长平坦半极性氮化镓的技术

授权

摘要

本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{1011}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。

基本信息

专利标题：

用于生长平坦半极性氮化镓的技术

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101138091A

申请号：

CN200680007694.5

公开（公告）日：

2008-03-05

申请日：

2006-03-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

特洛伊·J·贝克本杰明·A·哈斯克尔保罗·T·菲尼史蒂文·P·登巴尔斯詹姆斯·S·斯佩克中村修二

申请人：

加利福尼亚大学董事会

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

刘国伟

优先权：

CN200680007694.5

主分类号：

H01L29/04

IPC分类号：

H01L29/04

法律状态

2010-05-19 ：

授权

2008-06-11 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 加利福尼亚大学董事会
变更后权利人 : 加利福尼亚大学董事会
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
变更事项 : 共同申请人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 独立行政法人科学技术振兴机构
登记生效日 : 20080516

2008-04-30 ：

实质审查的生效

2008-03-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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