一种金刚石上生长氮化物的方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种金刚石上生长氮化物的方法，所述金刚石上生长氮化物的方法包括如下步骤：制备一组金刚石单晶衬底和三组金刚石多晶抛光衬底，在其中一组金刚石单晶衬底上制备氮化镓/石墨烯/金刚石的材料，在另三组金刚石多晶抛光衬底上制备氮化镓/硫化钼/金刚石的材料。本申请解决氮化物直接在金刚石上生长遇到的晶格失配及应力失配问题，通过本申请，可以实现直接在金刚石上生长高质量的氮化物外延材料。
基本信息
专利标题 ：
一种金刚石上生长氮化物的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334611A
申请号 ：
CN202111630538.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王新强王琦梁智文
申请人 ：
北京大学东莞光电研究院
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区沁园路17号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
俱玉云
优先权 ：
CN202111630538.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C23C14/02 C23C14/06 C23C14/18 C23C14/58
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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