Ⅲ族氮化物基板的制造方法
授权
摘要
本发明的目的在提供一种第三族氮化物基板的制造方法，使用通过金属线(22)而构成的金属线列(21)切断结晶块(3)，该结晶块(3)包含六方晶系第三族氮化物结晶。此时，以将结晶块(3)及金属线(22)中至少一方在与金属线(22)延长方向B直交的方向上进行传送并且一边供给研磨液一边切断结晶块(3)的方式，切断结晶块(3)。切断结晶块(3)时，将金属线(22)的延长方向B相对于结晶块(3)的{1－100}面倾斜3°以上。
基本信息
专利标题 ：
Ⅲ族氮化物基板的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1906740A
申请号 ：
CN200580001736.X
公开（公告）日 ：
2007-01-31
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松本直树
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200580001736.X
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 B28D5/04 B24B27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2008-09-17 ：
授权
2007-03-28 ：
实质审查的生效
2007-01-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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