13族元素氮化物结晶层的制造方法及晶种基板
实质审查的生效
摘要
本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。
基本信息
专利标题 ：
13族元素氮化物结晶层的制造方法及晶种基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114341410A
申请号 ：
CN202080058516.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-07-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
坂井正宏平尾崇行中西宏和市村干也下平孝直吉野隆史今井克宏仓冈义孝
申请人 ：
日本碍子株式会社
申请人地址 ：
日本国爱知县
代理机构 ：
北京旭知行专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王轶
优先权 ：
CN202080058516.5
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B9/10 C30B25/18 C30B7/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/40
申请日 : 20200717
申请日 : 20200717
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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