氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、...
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摘要
本发明涉及氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体。提供一种能够增大(0001)面的曲率半径、使偏离角分布狭窄的技术。一种氮化物半导体基板，其由III族氮化物半导体的晶体形成，具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，沿着<1‑100>轴的方向以及沿着与<1‑100>轴垂直的<11‑20>轴的方向中的任一方向的(0001)面相对于主面弯曲成凹球面状，且沿着<1‑100>轴的方向以及沿着与<1‑100>轴垂直的<11‑20>轴的方向中的任一方向的(0001)面的曲率半径与另一方向的至少一部分(0001)面的曲率半径不同。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109989110A
申请号 ：
CN201811585112.2
公开（公告）日 ：
2019-07-09
申请日 ：
2018-12-24
授权号 ：
CN109989110B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
吉田丈洋藤仓序章柴田真佐知堀切文正
申请人 ：
赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请人地址 ：
日本茨城县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201811585112.2
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B25/18 C30B25/04 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-09-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/40
申请日 : 20181224
申请日 : 20181224
2019-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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