半导体基板及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体基板及其制造方法。所述方法包括在N型碳化硅基板的硅面外延成长缓冲层与碳化硅层，且所述碳化硅层为高阻碳化硅或N型碳化硅(N‑SiC)，然后在碳化硅层上外延成长氮化镓外延层，得到由所述缓冲层、所述碳化硅层与所述氮化镓外延层构成的半导体结构。在外延成长氮化镓外延层之后，使用激光于半导体结构内形成损伤层，并在氮化镓外延层的表面接合晶片载体，然后从所述损伤层分离N型碳化硅基板与半导体结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体基板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388346A
申请号 ：
CN202110977660.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-08-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄志远吴华特
申请人 ：
环球晶圆股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋兴
优先权 ：
CN202110977660.5
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20210824
申请日 : 20210824
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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