半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及存储介...
实质审查的生效
摘要
本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及存储介质，即提高选择生长的选择性的技术。具有以下工序：(a)对在表面露出了第一基底和第二基底的基板供给第一改性剂及第二改性剂，从而使所述第一基底的表面改性的工序，其中该第一改性剂包含一个以上的直接键合有第一官能团和第二官能团的原子，该第二改性剂包含直接键合有所述第一官能团和所述第二官能团的原子且一个分子中所含的所述第一官能团的数量比所述第一改性剂的一个分子中所含的所述第一官能团的数量少；以及(b)对使所述第一基底的表面进行了改性之后的所述基板供给成膜气体，从而在所述第二基底的表面上形成膜的工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334605A
申请号 ：
CN202111101866.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宫田翔马中谷公彦早稻田崇之中川崇出贝求
申请人 ：
株式会社国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
金成哲
优先权 ：
CN202111101866.8
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C23C16/04 C23C16/32 C23C16/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20210918
申请日 : 20210918
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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