基板处理装置和基板处理方法
授权
摘要
公开了一种基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括：腔室，该腔室为处理基板提供内部空间；支撑单元，该支撑单元设置在腔室中并配置为支撑所述基板；第一喷射单元，该第一喷射单元具有第一喷嘴，该第一喷嘴配置为向支撑单元支撑的基板供应处于气溶胶状态的第一清洗介质；以及第二喷射单元，该第二喷射单元具有第二喷嘴，该第二喷嘴配置为向支撑单元支撑的基板供应第二清洗介质。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置和基板处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108269752A
申请号 ：
CN201810002830.6
公开（公告）日 ：
2018-07-10
申请日 ：
2018-01-02
授权号 ：
CN108269752B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
严永堤
申请人 ：
细美事有限公司
申请人地址 ：
韩国忠清南道天安市西北区稷山邑四产团五街77号
代理机构 ：
北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人 ：
赵丹
优先权 ：
CN201810002830.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2018-08-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180102
申请日 : 20180102
2018-07-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
