基板处理装置用部件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。通过对由烧结法或CVD法形成的碳化硅进行切削加工以成形为聚焦环(步骤S31)，将该成形的聚焦环暴露在作为不纯物质的由四氟化碳气体和氧气中的至少一种气体生成的等离子体中，将不纯物质导入聚焦环的表面附近存在的空孔状缺陷中(步骤S32)，将正电子射入导入了该不纯物质的聚焦环的表面附近，利用正电子湮没法检查聚焦环的表面附近的缺陷存在比(步骤S33)。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置用部件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790615A
申请号 ：
CN200510117786.6
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
守屋刚三桥康至上殿明良
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200510117786.6
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/02 H01L21/3065 C23F4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2021-10-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20201110
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20201110
2008-05-14 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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