半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介...
实质审查的生效
摘要
本发明是半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介质。通过抑制由在处理容器内形成的膜引起的颗粒产生，延长清洁周期，提高成膜处理的生产率。本发明具有：(a)向处理容器内搬入基板的工序，(b)在处理容器内进行以下处理的工序，即，通过将对基板由第一供给部供给原料气体的工序和对基板由第二供给部供给反应气体的工序交替或同时进行预定次数，在基板上形成膜的处理，(c)从处理容器内搬出处理后的基板的工序和(d)在从处理容器内搬出处理后的基板后的状态下，使(b)中在处理容器内形成的膜的至少一部分氧化而变成氧化膜的工序，在(d)中，向处理容器内供给含氧气体和含氢气体，同时向第一供给部供给含氢气体。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318298A
申请号 ：
CN202111082924.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
野田孝晓今村友纪奥田和幸寺崎昌人
申请人 ：
株式会社国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈彦
优先权 ：
CN202111082924.7
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/34 C23C16/458 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20210915
申请日 : 20210915
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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