基板处理装置及半导体装置的制造方法
授权
摘要

本发明提供基板处理装置及半导体装置的制造方法,在第一和第二处理模块中生成相同的膜的情况下能够在第一和第二处理模块之间使所生成的膜的品质相同。该基板处理装置具备:第一处理模块;第二处理模块;第一排气箱;第二排气箱;通用供给箱;第一阀组;以及第二阀组,为了在第一处理模块及第二处理模块中生成相同的膜,而错开时间并行地进行重复实质上相同的气体供给序列的处理,关于所错开的时间,通过以多种处理气体中的特定的气体的供给定时不与先开始处理的第一处理模块及第二处理模块的一方的气体供给序列重叠的方式,使后开始处理的第一处理模块及第二处理模块的另一方的气体供给序列延迟的方法来决定。

基本信息
专利标题 :
基板处理装置及半导体装置的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110872701A
申请号 :
CN201910803261.X
公开(公告)日 :
2020-03-10
申请日 :
2019-08-28
授权号 :
CN110872701B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
白子贤治谷山智志
申请人 :
株式会社国际电气
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 :
金成哲
优先权 :
CN201910803261.X
主分类号 :
C23C16/44
IPC分类号 :
C23C16/44  C23C16/455  C23C16/54  
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IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-04-08 :
授权
2020-04-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/44
申请日 : 20190828
2020-03-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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