气化系统、基板处理装置以及半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种气化系统、基板处理装置以及半导体装置的制造方法，在生成气化气体时抑制残渣堆积，并提高气化效率。该气化系统具备：气化室，其具有一端部和另一端部；第一流体供给部，其在另一端部与气化室连接，且朝向一端部供给混合有第一载气和液体原料的混合流体；以及第二流体供给部，其在一端部与气化室连接，且构成为在从一端部供给第二载气时，使第二流体供给部供给的第二载气沿着气化室的内壁流动。
基本信息
专利标题 ：
气化系统、基板处理装置以及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114277357A
申请号 ：
CN202111121932.8
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田中昭典才记由次
申请人 ：
株式会社国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁文蕴
优先权 ：
CN202111121932.8
主分类号 ：
C23C16/448
IPC分类号 ：
C23C16/448 C23C16/455 C23C16/52 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/448
产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/448
申请日 : 20210924
申请日 : 20210924
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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