半导体基板
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体基板，其包括功能区及测量区，所述功能区具有至少一功能膜层，所述测量区具有至少一测量膜层，在俯视方向上，所述测量膜层被划分为至少一测量单元，所述测量单元的形状为多边形，所述多边形的内角大于90度。本实用新型在制备半导体基板的工艺中，在测量区域形成多边形的测量单元，该形状的测量单元的受力力矩小，不易脱落，不会成为缺陷源，从而避免测量单元影响制程质量以及半导体基板的最终良率；同时，多边形的测量单元的应力分布相对更均匀，结构更加稳定。
基本信息
专利标题 ：
半导体基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921268703.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-07
授权号 ：
CN210092073U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921268703.7
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/311
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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