一种半导体对位结构及半导体基板
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体对位结构及半导体基板，包括：衬底结构；位于衬底结构的生长面上的至少一个对准标记，及围绕对准标记的围绕结构；对准标记在平行生长面的截面图案的至少一边，与同一平面上对位坐标轴的x轴和y轴均有倾斜角。对准标记在平行生长面的截面图案的至少一边，与同一平面上对位坐标轴的x轴和y轴均有倾斜角，进而通过单个对准标记即能够实现对准精度的调整，在保证对准精度较高的同时，能够减少对准标记的数量，降低半导体对位结构的占用面积，提高半导体基板的有效布线面积。对准标记具有上述特殊的截面图案，使得对准标记具有特殊形状的标记形貌，在半导体基板制程中便于对准标记的获取，提高了半导体基板的制作效率。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体对位结构及半导体基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921830816.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-29
授权号 ：
CN210272345U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
曾依蕾曾翔蔡洋洋杨忠宪
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
潘颖
优先权 ：
CN201921830816.1
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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