半导体基板

授权

摘要

一种半导体基板，包括基板、第一金属氧化物半导体层、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第二导电层及第二金属氧化物半导体层。第一晶体管包括第一金属氧化物半导体层的第一金属氧化物半导体图案、第一导电层的第一栅极、第二导电层的第一源极和第二导电层的第一漏极。第二晶体管包括第一金属氧化物半导体层的第二金属氧化物半导体图案、第一导电层的第二栅极、第二导电层的第二源极、第二导电层的第二漏极和第二金属氧化物半导体层的第三金属氧化物半导体图案。

基本信息

专利标题：

半导体基板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111146212A

申请号：

CN202010013803.6

公开（公告）日：

2020-05-12

申请日：

2020-01-07

授权号：

CN111146212B

授权日：

2022-06-14

发明人：

林威廷王鼎郑君丞

申请人：

友达光电股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司

代理人：

韩旭

优先权：

CN202010013803.6

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12