半导体装置用基板、半导体装置及半导体装置用基板的制造方法
授权
摘要
本发明为一种半导体装置用基板，包含：基板；缓冲层，设置于该基板上且由氮化物半导体所构成；以及装置活性层，设置于该缓冲层上且自氮化物半导体所构成，其中该缓冲层具有：第一区域，含有碳与铁；以及第二区域，于该第一区域上，其铁的平均浓度低于该第一区域，其碳的平均浓度高于该第一区域，其中该第二区域的碳的平均浓度低于该第一区域的铁的平均浓度。由此提供在能抑制纵方向漏电流且抑制装置的高温动作时的横方向漏电流的同时，能抑制电流崩溃现象的半导体装置用基板。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置用基板、半导体装置及半导体装置用基板的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109716492A
申请号 ：
CN201780054582.3
公开（公告）日 ：
2019-05-03
申请日 ：
2017-02-24
授权号 ：
CN109716492B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
佐藤宪鹿内洋志筱宫胜土屋庆太郎萩本和德
申请人 ：
三垦电气股份有限公司;信越半导体株式会社
申请人地址 ：
日本埼玉县新座市北野3丁目6番3号
代理机构 ：
北京京万通知识产权代理有限公司
代理人 ：
许天易
优先权 ：
CN201780054582.3
主分类号 ：
H01L21/338
IPC分类号 ：
H01L21/338 H01L21/20 H01L21/205 H01L29/778 H01L29/812
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/338
带有肖特基栅的
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-05-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/338
申请日 : 20170224
申请日 : 20170224
2019-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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