半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法，其中，半导体基板从下至上包括：叠置的衬底层、绝缘层和半导体层；静电体，贯穿所述半导体层和所述绝缘层，所述静电体的底部延伸至所述衬底层，所述半导体基板包括器件区和非器件区，所述静电体设置于所述非器件区。本发明的半导体基板通过在非器件区形成静电体，在后续刻蚀工艺中在半导体层中产生的静电荷可以通过静电体进入衬底层，防止尖端放电。
基本信息
专利标题 ：
半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446994A
申请号 ：
CN202011195900.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄河汪新学徐海瑛王敬平
申请人 ：
中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309
代理机构 ：
北京思创大成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张立君
优先权 ：
CN202011195900.8
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L23/60 H01L21/84
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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