基板处理装置及半导体装置的制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种基板处理装置，通过减小接触气体面积来抑制粒子的产生，通过减小流路容积提高净化效率。其具有用于对基板(2)进行处理的处理室(1)；被设置在处理室(1)侧面、将基板(2)相对于处理室(1)内搬入搬出的基板搬送口(10)；被可升降地设置在处理室(1)内、对基板(2)进行保持的保持机构；与保持机构相比被设置在上方，向处理室(1)内供给气体的供给口(3、4)；被设置在保持机构的周围、排出被供给到处理室内的气体的排气通道(35)；与在基板处理时的排气通道的上面相比被设置在下方，用于将由排气通道排出的气体向处理室外排出的排气口(5)，其中构成排气通道(35)的部件的至少一部分被构成为可以升降。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101010447A
申请号 ：
CN200580029573.6
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
板谷秀治野内英博堀井贞义佐野敦
申请人 ：
株式会社日立国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
陈伟
优先权 ：
CN200580029573.6
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2018-12-25 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 16/455
登记生效日 : 20181205
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社日立国际电气
变更后权利人 : 株式会社国际电气
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20181205
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社日立国际电气
变更后权利人 : 株式会社国际电气
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
2010-09-01 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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