半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置
实质审查的生效
摘要
本发明能够形成具有平坦性的膜。交替进行以下工序，在所述基板上形成多层含金属膜：在基板上形成含金属膜的工序；以及，对于所述基板供给处理气体，进行在含金属膜的表面上的晶体层分隔膜的形成工序和含金属膜的表面上的异常生长核的除去工序中的任一者或两者的工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503242A
申请号 ：
CN201980100576.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2019-09-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小川有人高和康太
申请人 ：
株式会社国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈彦
优先权 ：
CN201980100576.6
主分类号 ：
H01L21/285
IPC分类号 ：
H01L21/285 C23C16/34 C23C16/455 H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/285
气体或蒸气的沉积，例如冷凝
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/285
申请日 : 20190918
申请日 : 20190918
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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