光学记录介质和其制造方法
公开
摘要
本发明所揭示的是包括基体、在基体上形成的记录层和在记录层上形成的保护层的光学记录介质及其制造方法，其中记录层由一束能量照射，由此造成记录层上受照射部分的光学性能改变，以此来记录信息，其中所述记录层是包含Te和N的薄膜，如果必要，所述记录层还可进一步包含Pd。
基本信息
专利标题 ：
光学记录介质和其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1053688A
申请号 ：
CN90110053.6
公开（公告）日 ：
1991-08-07
申请日 ：
1989-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
重松茂人续山浩二
申请人 ：
三井石油化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
吴俊
优先权 ：
CN90110053.6
主分类号 ：
G03G5/00
IPC分类号 ：
G03G5/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03G
电记录术；电照相；磁记录
G03G5/00
采用辐照用于原稿记录的记录构件；记录构件的制造；所用材料的选择
法律状态
1991-08-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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