光学记录介质和其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明所揭示的是包括基体、在基体上形成的记录层和在记录层上形成的保护层的光学记录介质及其制造方法，其中记录层由一束能量照射，由此造成记录层上受照射部分的相变，以此来记录信息其中所述记录层是包含Te和N的薄膜，如果必要所述记录层还可进一步包含Pd。
基本信息
专利标题 ：
光学记录介质和其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1042259A
申请号 ：
CN89108246.8
公开（公告）日 ：
1990-05-16
申请日 ：
1989-10-27
授权号 ：
CN1014009B
授权日 ：
1991-09-18
发明人 ：
重松茂人续山浩二
申请人 ：
三井石油化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
吴俊
优先权 ：
CN89108246.8
主分类号 ：
G11B7/24
IPC分类号 ：
G11B7/24 G11B7/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B7/00
用光学方法，例如，用光辐射的热射束记录用低功率光束重现的；为此所用的记录载体
G11B7/24
按形状、结构或物理特性或所选用的材料区分的记录载体
法律状态
1994-12-07 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-04-15 ：
授权
1991-09-18 ：
审定
1990-05-16 ：
公开
1990-04-04 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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