半导体基板的制造方法、太阳能用半导体基板及蚀刻液

专利权的终止

摘要

本发明提供一种光电转换效率优越，可在半导体基板的表面形成均匀、所期望大小的适合于太阳电池的精细凹凸结构的安全、且低成本的半导体基板的制造方法，在面内均匀具有均匀且精细的金字塔状的凹凸结构的太阳能用半导体基板，形成具有均匀且精细的凹凸结构的半导体基板所使用的蚀刻液。使用含有选自由一分子中具有至少一个羧基的碳数1以上12以下的羧酸及其盐所构成的组中的至少一种的碱性蚀刻液，将半导体基板蚀刻，在该半导体基板的表面形成凹凸结构。

基本信息

专利标题：

半导体基板的制造方法、太阳能用半导体基板及蚀刻液

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101019212A

申请号：

CN200580030545.6

公开（公告）日：

2007-08-15

申请日：

2005-10-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

土屋正人真下郁夫木村义道

申请人：

三益半导体工业株式会社;日本宇宙能源株式会社

申请人地址：

日本国群马县

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李贵亮

优先权：

CN200580030545.6

主分类号：

H01L21/308

IPC分类号：

H01L21/308 H01L31/04 C30B33/08

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/306

化学或电处理，例如电解腐蚀

H01L21/308

应用掩膜的

法律状态

2019-10-18 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/308
申请日 : 20051026
授权公告日 : 20101208
终止日期 : 20181026

2015-08-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101719074261
IPC(主分类) : H01L 21/308
专利号 : ZL2005800305456
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三益半导体工业株式会社
变更后权利人 : 三益半导体工业株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本国群马县
变更后权利人 : 日本国群马县
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 木村义道
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20150720

2013-03-06 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101526612146
IPC(主分类) : H01L 21/308
专利号 : ZL2005800305456
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三益半导体工业株式会社
变更后权利人 : 三益半导体工业株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本国群马县
变更后权利人 : 日本国群马县
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 日本宇宙能源株式会社
变更后权利人 : 木村义道
登记生效日 : 20130130

2010-12-08 ：

授权

2007-10-10 ：

实质审查的生效

2007-08-15 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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