绝缘基板、半导体封装结构以及绝缘基板的制备方法
公开
摘要
本申请提供一种绝缘基板、半导体封装结构以及绝缘基板的制备方法。该绝缘基板包括沿厚度方向依次层叠设置的散热层、绝缘层和布线层，所述布线层及所述散热层的材料均为金属，所述绝缘基板还包括：多个间隔设置于所述绝缘层内的防裂纹体；其中，每一所述防裂纹体所在平面均与所述绝缘层所在平面形成有夹角，所述夹角大于0度，且小于180度。该半导体封装结构包括该绝缘基板，以及设置于该绝缘基板上的芯片。该制备方法用于制备该绝缘基板。本申请通过在所述绝缘层内间隔斜向设置或者纵向设置多个所述防裂纹体，能够大幅度提高绝缘层的导热系数并减小绝缘层撕裂的风险。
基本信息
专利标题 ：
绝缘基板、半导体封装结构以及绝缘基板的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628341A
申请号 ：
CN202011463423.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
党宁潘效飞
申请人 ：
无锡华润安盛科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区锡梅路55号
代理机构 ：
北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
曾莺华
优先权 ：
CN202011463423.9
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L21/48 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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