具有复合绝缘层的半导体封装结构

专利权的终止

摘要

一种具有复合绝缘层的半导体封装结构，包括一散热导座、一绝缘层、一金属层、一支撑元件及一电子元件。绝缘层设置于散热导座上，金属层设置于绝缘层上，电子元件设置于金属层，支撑元件电性连接地设置于电子元件上，其中散热导座、绝缘层及金属层组成一复合绝缘层结构；此外，散热导座上还设置一封装胶体，其用于将绝缘层、金属层、支撑元件及电子元件一体地封装并且固定在散热导座上。借此，通过散热导座、绝缘层及金属层形成所谓的复合绝缘层结构的设计，以使得本实用新型在达到电性绝缘、散热及导热效果下，同时能减少封装结构的整体体积、结构及厚度，以降低材料及制造过程上的成本耗费。

基本信息

专利标题：

具有复合绝缘层的半导体封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720143102.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-04-06

授权号：

CN201038149Y

授权日：

2008-03-19

发明人：

范家铭洪振智徐进寿

申请人：

敦南科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司

代理人：

王月玲

优先权：

CN200720143102.4

主分类号：

H01L23/488

IPC分类号：

H01L23/488 H01L23/36