具有隔离壁的半导体封装

授权

摘要

一种半导体装置封装包括位于基板上的第一电路和第二电路之间的隔离壁。所述隔离壁被配置成在所述半导体装置的操作期间，减少所述第一和第二电路之间的电感耦合。囊封材料覆盖所述基板、第一和第二电路以及所述隔离壁。所述隔离壁沿着其上边缘具有特征，例如凹口，所述特征促进所述囊封材料在制造期间横跨所述隔离壁的流动，以在很大程度上消除已完成半导体装置封装的表面上的内部缺陷和/或可视缺陷。对于双路径放大器，例如杜赫功率放大器，所述隔离壁分离载波放大器元件与峰化放大器元件，所述隔离壁包括在所述半导体装置封装内。

基本信息

专利标题：

具有隔离壁的半导体封装

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107123637A

申请号：

CN201710091513.1

公开（公告）日：

2017-09-01

申请日：

2017-02-20

授权号：

CN107123637B

授权日：

2022-04-29

发明人：

李璐哈姆丹·伊斯梅尔萨米·RN奈杜马赫什·K·沙阿

申请人：

恩智浦美国有限公司

申请人地址：

美国德克萨斯州

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

杨静

优先权：

CN201710091513.1

主分类号：

H01L23/552

IPC分类号：

H01L23/552 H01L23/495 H01L21/56 H01L23/31 H03F3/21 H03F3/24

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/552

防辐射保护装置，例如光

法律状态

2022-04-29 ：

授权

2019-03-19 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20170220

2017-09-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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