半导体封装

授权

摘要

提供一种半导体封装，包括：基底材料；安装在基底材料上的具有磁阻存储器的半导体芯片；布置在半导体芯片的上表面上的第一磁屏蔽；密封半导体芯片和第一磁屏蔽的密封树脂。第一磁屏蔽具有在第一面内方向上的磁化作为剩余磁化、包括具有第一磁性层和第一非磁性层的叠层膜。第一磁性层具有面内磁各向异性，第一非磁性层相对于第一磁性层感应界面磁各向异性。第一磁屏蔽响应于在第一垂直方向上向其施加磁场来产生在磁化方向上的垂直分量。第一磁屏蔽还包括：直接设置在具有第一非磁性层和形成在第一非磁性层上的第一磁性层的叠层膜上的中间层；直接形成在中间层上并具有面内磁各向异性的第三磁性层，中间层防止相对于第三磁性层感应界面磁各向异性。

基本信息

专利标题：

半导体封装

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109004086A

申请号：

CN201810744219.0

公开（公告）日：

2018-12-14

申请日：

2014-06-25

授权号：

CN109004086B

授权日：

2022-05-27

发明人：

铃木哲广

申请人：

瑞萨电子株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

李兰

优先权：

CN201810744219.0

主分类号：

H01L43/02

IPC分类号：

H01L43/02 H01L27/22 H01L23/552