具有高电压隔离的模制半导体封装
公开
摘要
一种模制半导体封装包括：附接到衬底的半导体管芯，所述半导体管芯包括在所述半导体管芯的背离所述衬底的第一侧处的接合焊盘和覆盖所述第一侧的绝缘层；电导体，其附接到所述接合焊盘的通过所述绝缘层中的开口暴露的部分；包围所述半导体管芯的模制化合物；以及电绝缘材料，其填充所述绝缘层中的所述开口并且密封所述接合焊盘的通过所述绝缘层中的所述开口暴露的所述部分。所述电绝缘材料将所述模制化合物与所述接合焊盘的通过所述绝缘层中的所述开口暴露的所述部分分开。所述电绝缘材料的击穿电压大于所述模制化合物的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
具有高电压隔离的模制半导体封装
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597190A
申请号 ：
CN202111482683.5
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阮于萍E·B·阿奎坦D·I·雷诺索J·施雷德尔杨文毅
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国瑙伊比贝尔格市
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
邬少俊
优先权 ：
CN202111482683.5
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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