隔离各种操作电压的集成电路的半导体结构
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明是有关于一种隔离各种操作电压的集成电路的半导体结构，包括一隔离环位于半导体基材上，并环绕第一电路区与第二电路区。埋入隔离层连续地延伸穿过半导体基材中的第一电路区与第二电路区。埋入隔离层与隔离环交接，藉以将第一电路区及第二电路区与半导体基材的背面偏压隔离。经离子强化隔离层，将位于第一电路区的第一井及第二电路区的第二井与隔离环及埋入隔离层分开，藉以防止穿孔穿过第一与第二电路区的第一井及第二井与埋入隔离层之间。
基本信息
专利标题 ：
隔离各种操作电压的集成电路的半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783493A
申请号 ：
CN200510105602.4
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘俊秀张启宣宋自强陈忠义黄志博
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510105602.4
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L21/76
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2008-09-17 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
