高电压集成电路
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本实用新型涉及一种高电压集成电路，其包含P衬底。N阱隔离栏设置在所述衬底中。形成P阱的分开的P扩散区域设置在所述衬底中，用于充当隔离结构。低电压控制电路定位在所述N阱隔离栏外。浮置电路定位在所述N阱隔离栏内。所述浮置电路中的器件的最大相距空间受限制，从而在所述浮置电路与所述衬底之间形成高电压接合隔离栏。
基本信息
专利标题 ：
高电压集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620121382.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-07-28
授权号 ：
CN200941386Y
授权日 ：
2007-08-29
发明人 ：
蒋秋志黄志丰伍佑国林隆世
申请人 ：
崇贸科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张波
优先权 ：
CN200620121382.4
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2009-09-23 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-08-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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