具有半导体层及其下电绝缘层的半导体晶片及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及半导体晶片，其包括位于其表面上的厚度为3纳米至200纳米且不含小洞缺陷的半导体层，以及位于所述半导体层之下且与其邻接的由电绝缘材料组成的邻接层。本发明还涉及热处理半导体晶片的方法，该半导体晶片具有半导体层以及位于其下且与其邻接的由电绝缘材料组成的邻接层，所述热处理是在750℃至1300℃的温度范围内且在惰性或还原性气氛中进行，所述气氛至少有时含有半导体材料的气态化合物，以使半导体材料在所述半导体层的表面上沉积，其特征在于，热处理之后的所述半导体层的厚度与热处理之前的所述半导体层的厚度基本上没有差别。
基本信息
专利标题 ：
具有半导体层及其下电绝缘层的半导体晶片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825549A
申请号 ：
CN200510137100.X
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迪尔克·丹茨安德烈亚斯·许贝尔布里安·墨非赖因霍尔德·沃里克
申请人 ：
硅电子股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
过晓东
优先权 ：
CN200510137100.X
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324 H01L21/762 H01L21/84 C30B33/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
2009-01-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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