锭块的制造方法、半导体晶片的制造方法及锭块的制造装置
授权
摘要
一种锭块的制造方法，其切断利用提拉法提拉的单晶硅锭并进行外周磨削，从而制造单晶硅的锭块，该锭块的制造方法执行如下工序：在沿锭的长边方向的1个以上的位置，测量锭的径向中心位置的工序(S2)；设定测量出的锭的径向中心位置的偏离量为规定的偏芯量以下的基准位置的工序(S7)；根据已设定的基准位置，将锭切断成锭块的工序(S8)；及执行已切断的各锭块的外周磨削的工序(S9)。
基本信息
专利标题 ：
锭块的制造方法、半导体晶片的制造方法及锭块的制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111771018A
申请号 ：
CN201880082329.3
公开（公告）日 ：
2020-10-13
申请日 ：
2018-10-22
授权号 ：
CN111771018B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
斋藤康裕
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨戬
优先权 ：
CN201880082329.3
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 B28D5/04 C30B33/00 H01L21/304
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-10-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20181022
申请日 : 20181022
2020-10-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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