半导体覆晶封装基板及其封装结构
授权
摘要
本实用新型揭示了一种半导体覆晶封装基板，包括：基板，上下具有位置相对的第一表面及第二表面，第一表面包括至少一第一金属层及第一绝缘层，第二表面包括至少一第二金属层及第二绝缘层，而第一金属层及第二金属层分别形成电性线路；至少一穿孔，贯穿基板；导电柱，设置于穿孔内，并与第一金属层接触，导电柱具有一外露的接点凸部，接点凸部高出于第一表面；再者其封装结构是增加一晶片，晶片下表面设有接垫，当晶片倒置安装于基板上，由接点凸部焊接于接垫，借此省去现有的覆晶封装需于晶片形成金属凸块的程序，简化生产流程，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体覆晶封装基板及其封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021277437.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-03
授权号 ：
CN212062431U
授权日 ：
2020-12-01
发明人 ：
汤霁嬨
申请人 ：
苏州震坤科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区方洲路183号
代理机构 ：
北京华夏博通专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘俊
优先权 ：
CN202021277437.7
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2020-12-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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