薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带
专利权的终止
摘要

本实用新型是有关于一种薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带,该薄膜覆晶封装构造主要包含一COF薄膜卷带、一晶片以及一封胶体。该COF薄膜卷带包含有一可挠性介电层及一引线层,该可挠性介电层定义有一晶片接合区,该可挠性介电层具有一开口,该开口位于该晶片接合区内并贯穿该可挠性介电层的一上表面与一下表面,该晶片设置于该COF薄膜卷带上且该晶片的复数个凸块电性连接该引线层的复数个第一引线以及复数个第二引线,该封胶体是形成于该晶片与该COF薄膜卷带之间并填入该开口,以密封该些凸块、该些第一引线的复数个第一内接指以及该些第二引线的复数个第二内接指,该开口可避免封胶后的应力残留而造成该可挠性介电层、该晶片与该封胶体形成分层断裂且提高排气的功效。

基本信息
专利标题 :
薄膜覆晶封装构造及覆晶封装的COF薄膜卷带
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620012274.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-04-24
授权号 :
CN2922126Y
授权日 :
2007-07-11
发明人 :
何志文杨志辉谢庆堂蔡坤宪林志松
申请人 :
飞信半导体股份有限公司
申请人地址 :
台湾高雄
代理机构 :
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 :
寿宁
优先权 :
CN200620012274.3
主分类号 :
H01L23/498
IPC分类号 :
H01L23/498  H01L23/31  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2016-05-25 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101662506374
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利号 : ZL2006200122743
申请日 : 20060424
授权公告日 : 20070711
终止日期 : 无
2011-05-25 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101092896511
IPC(主分类) : H01L 23/498
专利号 : ZL2006200122743
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 飞信半导体股份有限公司
变更后权利人 : 颀邦科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾高雄
变更后权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区新竹市东区力行五路3号
登记生效日 : 20110415
2007-07-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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