一种用于薄膜覆晶封装的热压头
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于薄膜覆晶封装的热压头，包括压头本体、设置在压头本体上的上支撑件和若干压头调节机构；若干压头调节机构沿上支撑件的延伸方向间隔排布；压头调节机构包括定位件和设置在定位件上的调节件；定位件具有定位在上支撑件上的定位部和自定位部向外延伸设置的自由端，调节件螺纹连接在定位件上并具有抵接在压头本体上的抵接部。本实用新型设置有压头调节机构，压头调节机构具有定位件和调节件，调节件并抵接在压头本体上，压头本体上被调节件压接的位置相对未被压接的位置会发生形变，这种形变会反应到压头本体的底面，从而能够改变压头本体底面的凹凸情况，以适用对多种芯片的吸附，提升了压头的适用性。
基本信息
专利标题 ：
一种用于薄膜覆晶封装的热压头
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123007701.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
CN216671569U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
高峰
申请人 ：
颀中科技（苏州）有限公司;合肥颀中科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区凤里街166号
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
段友强
优先权 ：
CN202123007701.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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