本发明的半导体芯片的直接电性连接覆晶封装结构包括：至少一介电层；至少一半导体芯片，且该半导体芯片主动面形成有电性连接垫，并以其主动面接置在该介电层上；以及至少一线路层，形成于该介电层上未供接置半导体芯片的一侧，且该线路层借由多个形成于该介电层中的导电电极，电性连接到该半导体芯片上的电性连接垫；本发明整合了半导体芯片与芯片承载件的接置与电性连接结构，简化半导体业制程步骤、降低成本以及简化接口的整合，同时增加结构空间利用的灵活性，提升半导体装置的电性功能，在提升芯片的散热效能的同时，使该半导体封装结构更具薄型化。