基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序、记录介质以及废...
实质审查的生效
摘要

即使在除害装置停止的情况下,也使处理气体无害化。具有:反应管,其收纳基板;处理气体供给部,其向反应管内供给处理气体;排气部,其将反应管内的处理气体排出;废气处理室,其与排气部连接,对排出的处理气体进行处理;第一非活性气体供给部,其与向反应管内供给第一非活性气体的非活性气体供给源连接,向废气处理室供给第一非活性气体;第二非活性气体供给部,其向废气处理室供给第二非活性气体;排气管,其将废气处理室内的气体排出;以及控制部,其构成为能够控制第一非活性气体供给部和第二非活性气体供给部。使得在废气处理室中对处理气体进行处理的期间,从第一非活性气体供给部向废气处理室供给第一非活性气体,在废气处理室的处理停止时从第二非活性气体供给部向废气处理室供给第二非活性气体。

基本信息
专利标题 :
基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序、记录介质以及废气处理系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114341399A
申请号 :
CN202080060372.7
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2020-07-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
境正宪加藤努足谷笃彦
申请人 :
株式会社国际电气
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 :
范胜杰
优先权 :
CN202080060372.7
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455  C23C16/14  C23C16/44  C23C16/52  C23C16/54  H01L21/285  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20200728
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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