基板处理方法和记录介质
专利权的终止
摘要

本发明提供一种基板处理方法,其是具有在内部保持被处理基板的处理容器、将第一处理气体供给所述处理容器且包含流量调整单元的第一气体供给单元、和将第二处理气体供给所述处理容器的第二供给单元的基板处理装置的基板处理方法,其特征在于:其反复进行将所述第一处理气体通过所述流量调整单元控制为第一流量并在所述第一方向上进行供给的第一工序、从所述处理容器排出该第一处理气体的第二工序、将所述第二处理气体供给所述处理容器的第三工序、和从所述处理容器排出该第二处理气体的第四工序,在1的第一工序与在该1的第一工序接下来实施的2的第一工序之间设有处理气体流量稳定工序。

基本信息
专利标题 :
基板处理方法和记录介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101147245A
申请号 :
CN200680009290.X
公开(公告)日 :
2008-03-19
申请日 :
2006-02-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
竹山环二村宗久
申请人 :
东京毅力科创株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 :
龙淳
优先权 :
CN200680009290.X
主分类号 :
H01L21/31
IPC分类号 :
H01L21/31  C23C16/455  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的;以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
法律状态
2017-04-05 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101711616366
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利号 : ZL200680009290X
申请日 : 20060221
授权公告日 : 20090520
终止日期 : 20160221
2009-05-20 :
授权
2008-05-14 :
实质审查的生效
2008-03-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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