基板处理方法、记录介质和基板处理装置
专利权的终止
摘要

本发明涉及一种基板处理方法,其是基板处理装置的基板处理方法,其特征在于,该基板处理装置具有:处理容器,其内部具有支承被处理基板并该被处理基板上供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和在该第一空间的周围形成的、与该第一空间连通的第二空间;排出所述第一空间的气体的第一排气单元;和排出所述第二空间的气体的第二排气单元。该基板处理方法具有:将所述第一处理气体供给所述第一空间的第一工序;从所述第一空间排出该第一处理气体的第二工序;将所述第二处理气体供给所述第一空间的第三工序;和从所述第一空间排出所述第二处理气体的第四工序。其中,所述第二空间的压力由供给到该第二空间的压力调整气体进行调整。

基本信息
专利标题 :
基板处理方法、记录介质和基板处理装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101138076A
申请号 :
CN200680007627.3
公开(公告)日 :
2008-03-05
申请日 :
2006-02-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
高木俊夫金子裕是岩田辉夫竹山环柿本明修
申请人 :
东京毅力科创株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 :
龙淳
优先权 :
CN200680007627.3
主分类号 :
H01L21/316
IPC分类号 :
H01L21/316  H01L21/31  C23C16/455  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的;以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
2015-04-08 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101604516247
IPC(主分类) : H01L 21/316
专利号 : ZL2006800076273
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20140220
2009-07-15 :
授权
2008-04-30 :
实质审查的生效
2008-03-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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