半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置
实质审查的生效
摘要
本发明能够形成具有膜连续性的膜。本发明具有：准备在表面形成了含金属膜的基板的工序和通过对于所述基板脉冲供给含卤气体从而对所述含金属膜进行减薄的工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342046A
申请号 ：
CN201980099722.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2019-09-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小川有人水野谦和足谷笃彦清野笃郎高和康太
申请人 ：
株式会社国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈彦
优先权 ：
CN201980099722.8
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20190919
申请日 : 20190919
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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