基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
授权
摘要
本发明提供一种能够抑制缺陷的产生并且能够使用干燥液来使基板表面干燥的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在对由基板保持部(31)保持着的旋转的基板(W)的表面供给处理液来进行处理的基板处理装置(16)中，干燥液供给喷嘴(411)向利用处理液进行处理后的旋转的基板的表面供给干燥液，移动机构(41、42、421)使干燥液在基板(W)上的着液点(PA)以从基板(W)的中心部朝向周缘部的朝向移动。控制部(18)进行控制，使得以着液点为基点形成的干燥液的流线中的距离(L)为预先设定的上限距离M以下，其中，该距离(L)是从上述着液点的中心至该干燥液的流线的靠基板的旋转中心侧的端部的距离。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107230653A
申请号 ：
CN201710135952.8
公开（公告）日 ：
2017-10-03
申请日 ：
2017-03-08
授权号 ：
CN107230653B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
丸本洋
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201710135952.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2018-10-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20170308
申请日 : 20170308
2017-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN107230653A.PDF
PDF下载
