基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质
授权
摘要
基板处理装置具备：基板保持部(31)，其保持基板(W)；外喷嘴(45)，其以使基板的表面的至少中心部被喷出的处理液的液膜覆盖的方式从比被基板保持部保持的基板的外周缘靠外侧的位置朝向基板的表面喷出处理液；以及致动器(46、90)，其能够变更外喷嘴的高度位置或俯仰角。
基本信息
专利标题 ：
基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108292599A
申请号 ：
CN201680068848.5
公开（公告）日 ：
2018-07-17
申请日 ：
2016-11-17
授权号 ：
CN108292599B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
小佐井一树甲斐義广五师源太郎小宫洋司藤本诚也大塚贵久
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201680068848.5
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/304
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2018-08-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20161117
申请日 : 20161117
2018-07-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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