衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
授权
摘要
提供衬底处理装置,具有:收容衬底的处理室;气化器,其将液体原料气化从而生成反应气体并将其与载气一起作为处理气体送出,气化器具备气化容器、液体原料导入部、载气导入部、和加热液体原料的加热器;载气供给控制部,其控制载气的供给量;液体原料供给控制部,其控制液体原料的供给量;处理气体供给管,其将处理气体导入处理室内;处理气体温度传感器,其对从气化器被送出至处理气体供给管内的处理气体的温度进行检测,及控制部,其基于由处理气体温度传感器检测到的处理气体的温度,调节加热器的温度。由此,即便在低温条件下,也能够抑制处理装置内的处理气体的液滴化、雾化等,提高在由处理气体处理的衬底上形成的膜的品质。
基本信息
专利标题 :
衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN107924840A
申请号 :
CN201580082519.1
公开(公告)日 :
2018-04-17
申请日 :
2015-09-30
授权号 :
CN107924840B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
立野秀人原大介奥野正久定田拓也塚本刚史田中昭典角田彻堀井贞义
申请人 :
株式会社日立国际电气
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
杨宏军
优先权 :
CN201580082519.1
主分类号 :
H01L21/31
IPC分类号 :
H01L21/31 H01L21/316
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的;以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
法律状态
2022-04-01 :
授权
2018-12-25 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/31
登记生效日 : 20181205
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 株式会社日立国际电气
变更后权利人 : 株式会社国际电气
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20181205
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 株式会社日立国际电气
变更后权利人 : 株式会社国际电气
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
2018-05-11 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/31
申请日 : 20150930
申请日 : 20150930
2018-04-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载