制造半导体器件的装置、控制方法及制造方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
提供了一种装置和一种制造半导体器件的方法，其采用4通阀，通过防止死容积的产生，改善了气体阀系统，从而提高了吹扫效率。所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第二入口、第一出口和第二出口的4通阀，其安装在所述第一处理气体供应管处，使所述第一入口和第一出口连接至所述第一处理气体供应管；第二处理气体供应管，其连接至4通阀的第二入口，以提供第二处理气体；连接至所述4通阀的第二出口的支管；以及安装在所述支管处的闸阀。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体器件的装置、控制方法及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825537A
申请号 ：
CN200610005876.0
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
元皙俊刘龙珉金大渊金永勋权大振金元洪
申请人 ：
三星电子株式会社;ASM吉尼泰克韩国株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610005876.0
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/67 H01L21/3065 H01L21/205 C23C16/44 C23F4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2019-07-19 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 三星电子株式会社
变更后 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国京畿道
变更后 : 韩国京畿道
变更事项 : 共同专利权人
变更前 : ASM吉尼泰克韩国株式会社
变更后 : ASM韩国株式会社
变更事项 : 专利权人
变更前 : 三星电子株式会社
变更后 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国京畿道
变更后 : 韩国京畿道
变更事项 : 共同专利权人
变更前 : ASM吉尼泰克韩国株式会社
变更后 : ASM韩国株式会社
2009-12-23 ：
授权
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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