处理基板的装置、原料盒、处理基板的方法和制造原料盒的方法
公开
摘要
对用于制造半导体装置的基板进行处理的装置具有构成为向收纳有基板的腔室供给处理气体的处理气体供给部，上述处理气体供给部具有：原料盒，其具有收纳有多孔质部件的原料罐，该多孔质部件包含吸附上述处理气体的原料的气体分子的金属有机结构体；主体部，其构成为在安装原料盒时使上述原料罐与上述处理气体供给流路连通；和脱附机构，其构成为实施使吸附于上述金属有机结构体的上述原料的气体分子脱附、作为处理气体向处理气体供给流路流出的操作。
基本信息
专利标题 ：
处理基板的装置、原料盒、处理基板的方法和制造原料盒的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616356A
申请号 ：
CN202080074643.4
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
原田宗生冈部庸之
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202080074643.4
主分类号 ：
C23C16/448
IPC分类号 ：
C23C16/448 C23C16/34 C23C16/455 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/448
产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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