助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统。所述系统包括：单晶生长单元、原料循环单元、搅拌单元和氮气供给单元；所述单晶生长单元包括可供反应生长氮化物单晶的反应腔室，所述原料循环单元包括用以容置生长氮化物单晶所需原料的循环腔室，所述反应腔室与所述循环腔室相互连通，且所述原料能够在所述反应腔室与循环腔室之间循环流动；所述搅拌单元至少用以对所述循环腔室和/或反应腔室内的原料进行搅拌；所述氮气供给单元至少用以向所述循环腔室和/或反应腔室内提供氮气。本实用新型利用原料循环单元以及搅拌单元对反应腔室和循环腔室内的原料进行循环和搅拌，使生长形成的氮化物单晶均匀性更好、质量更高。
基本信息
专利标题 ：
助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022055337.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-18
授权号 ：
CN212713847U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
司志伟刘宗亮徐科
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202022055337.6
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B9/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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