本发明公开了采用熔盐法生长氮化镓单晶的方法，通过选择碱土金属氮化物如氮化钙、氮化钡或氮化锶作为助熔剂，生长氮化镓单晶体。本发明首先采用纯碱土金属和纯氮气，在流动的氮气气氛下合成碱土金属氮化物，然后以合成的碱土金属氮化物与金属镓作为原料，在氮气气氛下加热到一定温度，以常规方法包括缓慢降温法、温度梯度法或坩埚旋转法进行2－10天的晶体生长，即可获得毫米级的氮化镓晶体。采用本方法，在温度低至700℃的常压下进行GaN单晶生长，显著提高[0001]方向的生长速度，并且在一定程度上抑制自发结晶，从而生长出较大尺寸的、具有实用价值的GaN单晶。本发明成本低廉、设备简单、易于推广、可进行大规模工业生产。