本发明公开了一种助熔剂法生长自分离氮化镓单晶的方法，包括：采用助熔剂法，以自支撑氮化镓作为籽晶，在所述自支撑氮化镓上生长微孔层；以及利用液相外延方法在所述微孔层上生长获得自分离氮化镓单晶。较之现有技术，本发明通过控制助熔剂法生长氮化镓单晶的生长条件，首先生长一层微孔层，该微孔层不仅可以使籽晶中的应力得到有效释放，而且可以使籽晶中的大部分位错被抑制在该微孔层，从而不会在后续液相外延生长氮化镓单晶中引入应力，还可以在生长后，在该层发生自分离现象，并进一步生长获得了高质量的自分离氮化镓单晶。