助熔剂法连续生长大尺寸高质量氮化物单晶的系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种助熔剂法连续生长大尺寸高质量氮化物单晶的系统。所述系统包括：反应生长单元、原料补给单元、废料回收单元、生长停滞监测单元和控制单元，所述反应生长单元包括可供反应生长氮化物单晶的反应腔室，所述原料补给单元和废料回收单元分别与所述反应腔室连接，所述废料回收单元至少用于将反应腔室中的废料导出，所述生长停滞监测单元至少用于对所述氮化物单晶的生长状态进行监测，以及，所述控制单元还与所述原料补给单元、废料回收单元、生长停滞监测单元连接。本实用新型提供的系统具有自动化均匀性补充原料的原料补给单元，通过在生长过程中，不断补充生长原料，实现氮化镓单晶的自动连续均匀生长。
基本信息
专利标题 ：
助熔剂法连续生长大尺寸高质量氮化物单晶的系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021456416.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-22
授权号 ：
CN212582032U
授权日 ：
2021-02-23
发明人 ：
司志伟刘宗亮徐科
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202021456416.1
主分类号 ：
C30B9/10
IPC分类号 ：
C30B9/10 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B9/00
使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
C30B9/04
熔融溶液冷却法
C30B9/08
使用其他溶剂的
C30B9/10
金属溶剂
法律状态
2021-02-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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