用于生长平坦半极性氮化镓的技术

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{101 1}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。

基本信息

专利标题：

用于生长平坦半极性氮化镓的技术

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101845670A

申请号：

CN201010111379.5

公开（公告）日：

2010-09-29

申请日：

2006-03-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

特洛伊·J·贝克本杰明·A·哈斯克尔保罗·T·菲尼史蒂文·P·登巴尔斯詹姆斯·S·斯佩克中村修二

申请人：

加利福尼亚大学董事会;独立行政法人科学技术振兴机构

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王允方

优先权：

CN201010111379.5

主分类号：

C30B29/38

IPC分类号：

C30B29/38 C30B25/18 H01L21/205

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B29/00

以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料

C30B29/10

无机化合物或组合物

C30B29/38

氮化物

法律状态

2016-07-20 ：

发明专利申请公布后的视为撤回

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101735686967
IPC(主分类) : C30B 29/38
专利申请号 : 2010101113795
申请公布日 : 20100929

2010-11-17 ：

实质审查的生效

号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101016485166
IPC(主分类) : C30B 29/38
专利申请号 : 2010101113795
申请日 : 20060310

2010-09-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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