氮化物半导体装置
公开
摘要
本发明提供氮化物半导体装置，降低栅极泄漏电流并使栅极耐压提高。氮化物半导体装置(10)具备：由氮化物半导体构成的电子传输层(16)、形成在电子传输层上且由比电子传输层大的氮化物半导体构成的电子供给层(18)、形成在电子供给层上的一部分且由比电子供给层小的氮化物半导体构成的第一台阶层(22)、形成在第一台阶层(22)上且由氮化物半导体构成的第二台阶层(24)、形成在第二台阶层(24)上的一部分且由氮化物半导体构成并含有受主型杂质的栅极层(26)、形成在栅极层(26)上的栅极电极(28)、及与电子供给层相接的源极电极(32)和漏极电极(34)。第一台阶层(22)包含在俯视视角下向栅极层(26)的外侧延伸的延伸部(22A、22B)。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551565A
申请号 ：
CN202111395396.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大岳浩隆
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
金成哲
优先权 ：
CN202111395396.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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